بلورات غير خطية

تتوفر طرق النمو بما في ذلك الأفقي والرأسي، وهذه المواد (ZnGeP2، AgGaS2، AgGaSe2، GaSe، KTA، KTP، BIBO، LBO، BBO) بأحجام واتجاهات قياسية معينة.بعضها، مع خصائص المعامل غير الخطي الكبير والأبعاد الفريدة التي قدمناها، يتم استخدامها على نطاق واسع في أنظمة SHG وTHG والأشعة تحت الحمراء المتوسطة OPO وOPA، وما إلى ذلك. يمكن تسليم المنتجات مع أو بدون حامل الألومنيوم المؤكسد.

غازي كريستال

سيلينيد الغاليوم (GaSe) عبارة عن بلورة أحادية بصرية غير خطية، تجمع بين معامل غير خطي كبير وعتبة ضرر عالية ونطاق شفافية واسع.إنها مادة مناسبة جدًا لـ SHG في منتصف الأشعة تحت الحمراء.
بلورات ZGP(ZnGeP2).

بلورات ZGP تمتلك معاملات غير خطية كبيرة (d36=75pm/V)، نطاق شفافية واسع للأشعة تحت الحمراء (0.75-12μm)، موصلية حرارية عالية (0.35W/(cm·K)) وعتبة عالية لتلف الليزر (2-5J/cm2) و خاصية تصنيع الآبار، تم تسمية كريستال ZnGeP2 بملك البلورات الضوئية غير الخطية بالأشعة تحت الحمراء ولا يزال أفضل مادة لتحويل التردد لتوليد ليزر الأشعة تحت الحمراء عالي الطاقة والقابل للضبط.يمكننا تقديم جودة بصرية عالية وبلورات ZGP ذات قطر كبير مع معامل امتصاص منخفض للغاية α <0.05 سم-1 (عند أطوال موجية للمضخة 2.0-2.1 ميكرومتر)، والتي يمكن استخدامها لتوليد ليزر متوسط الأشعة تحت الحمراء قابل للضبط بكفاءة عالية من خلال OPO أو OPA العمليات.
بلورات AGSe(AgGaSe2).

AGseتحتوي بلورات AgGaSe2 على حواف نطاقية تبلغ 0.73 و18 ميكرومتر.يوفر نطاق النقل المفيد (0.9–16 ميكرومتر) وإمكانية مطابقة الطور الواسع إمكانات ممتازة لتطبيقات OPO عند ضخها بواسطة مجموعة متنوعة من أجهزة الليزر المختلفة.تم الحصول على ضبط ضمن 2.5-12 ميكرومتر عند الضخ بواسطة ليزر Ho:YLF عند 2.05 ميكرومتر؛بالإضافة إلى عملية مطابقة المرحلة غير الحرجة (NCPM) في حدود 1.9-5.5 ميكرومتر عند الضخ عند 1.4-1.55 ميكرومتر.لقد ثبت أن AgGaSe2 (AgGaSe2) عبارة عن بلورة مضاعفة التردد فعالة لإشعاع ليزر ثاني أكسيد الكربون بالأشعة تحت الحمراء.
بلورات AGS (AgGaS2).

AGS شفاف من 0.50 إلى 13.2 ميكرومتر.على الرغم من أن معاملها البصري غير الخطي هو الأدنى بين بلورات الأشعة تحت الحمراء المذكورة، إلا أن الشفافية العالية ذات الطول الموجي القصير عند 550 نانومتر يتم استخدامها في OPOs التي يتم ضخها بواسطة ليزر Nd:YAG؛في العديد من تجارب خلط الترددات المختلفة باستخدام ليزر الصبغة Diode وTi:Sapphire وNd:YAG وIR التي تغطي نطاقًا يتراوح من 3 إلى 12 ميكرومتر؛في أنظمة التدابير المضادة بالأشعة تحت الحمراء المباشرة، ولـ SHG من ليزر ثاني أكسيد الكربون.تحظى الألواح البلورية الرقيقة AgGaS2 (AGS) بشعبية كبيرة في توليد النبضات فائقة القصر في نطاق الأشعة تحت الحمراء المتوسط من خلال توليد تردد الفرق الذي يستخدم نبضات الطول الموجي NIR.
بلورات BGSe(BaGa4Se7).

بلورات BGSe عالية الجودة (BaGa4Se7) هي نظير السيلينيد لمركب الكالكوجينيد BaGa4S7، الذي تم تحديد بنيته المعينية اللامركزية في عام 1983 وتم الإبلاغ عن تأثير IR NLO في عام 2009، وهي بلورة IR NLO مطورة حديثًا.تم الحصول عليه عن طريق تقنية بريدجمان-ستوكبارجر.تُظهر هذه البلورة نفاذية عالية على نطاق واسع يتراوح من 0.47 إلى 18 ميكرومتر، باستثناء ذروة الامتصاص عند حوالي 15 ميكرومتر.
بلورات BGGSe(BaGa2GeSe6).

تتميز بلورة BaGa2GeSe6 بعتبة ضرر بصري عالية (110 ميجاوات/سم2)، ونطاق شفافية طيفية واسع (من 0.5 إلى 18 ميكرومتر) ولاخطية عالية (d11 = 66 ± 15 مساءً/فولت)، مما يجعل هذه البلورة جذابة للغاية تحويل تردد إشعاع الليزر إلى (أو داخل) نطاق الأشعة تحت الحمراء المتوسطة.