بلورات غازي
باستخدام بلورة GaSe، تم ضبط الطول الموجي للخرج في النطاق من 58.2 ميكرومتر إلى 3540 ميكرومتر (من 172 سم-1 إلى 2.82 سم-1) مع وصول الطاقة القصوى إلى 209 وات. تم إجراء تحسين كبير على طاقة الخرج لهذا T هرتز المصدر من 209 وات إلى 389 وات.
بلورات ZnGeP2
من ناحية أخرى، استنادًا إلى DFG في بلورة ZnGeP2، تم ضبط الطول الموجي للخرج في النطاقين 83.1–1642 ميكرومتر و80.2–1416 ميكرومتر لتكوينات مطابقة ثنائية الطور، على التوالي. وقد وصلت طاقة الخرج إلى 134 واط.
بلورات الفجوة
باستخدام بلورة GaP، تم ضبط الطول الموجي للخرج في حدود 71.1−2830 ميكرومتر بينما كانت أعلى قدرة ذروة هي 15.6 واط. إن ميزة استخدام GaP على GaSe وZnGeP2 واضحة: لم يعد دوران البلورة مطلوبًا لتحقيق ضبط الطول الموجي. ، يحتاج المرء فقط إلى ضبط الطول الموجي لشعاع خلط واحد ضمن عرض نطاق ضيق يصل إلى 15.3 نانومتر.
للتلخيص
تعد كفاءة التحويل البالغة 0.1٪ أيضًا أعلى مستوى تم تحقيقه على الإطلاق لنظام سطح الطاولة باستخدام نظام ليزر متاح تجاريًا كمصادر للمضخة. مصدر T هرتز الوحيد الذي يمكن أن يتنافس مع مصدر GaSe T هرتز هو ليزر حر الإلكترون، وهو ضخم للغاية ويستهلك طاقة كهربائية ضخمة.علاوة على ذلك، يمكن ضبط الأطوال الموجية الناتجة لمصادر T هرتز في نطاقات واسعة للغاية، على عكس أشعة الليزر المتتالية الكمومية التي يمكن لكل منها توليد طول موجي ثابت فقط. لذلك، لن يتم تنفيذ بعض التطبيقات التي يمكن تحقيقها باستخدام مصادر T هرتز أحادية اللون قابلة للضبط على نطاق واسع. ممكن إذا كان الاعتماد على نبضات T هرتز دون البيكو ثانية أو أشعة الليزر المتتالية الكمومية بدلاً من ذلك.
