KD*P EO Q-Switch

يقوم EO Q Switch بتغيير حالة استقطاب الضوء الذي يمر عبره عندما يؤدي الجهد المطبق إلى تغيرات الانكسار المزدوج في البلورة الكهربائية الضوئية مثل KD*P.عند استخدامها مع المستقطبات، يمكن لهذه الخلايا أن تعمل كمفاتيح ضوئية، أو مفاتيح Q ليزر.


  • 1/4 موجة الجهد:3.3 كيلو فولت
  • خطأ في مقدمة الموجة المرسلة: <1/8 موجة
  • إي سي آر:>2000:1
  • جهاز فيديو:>1500:1
  • السعة:6 بيكو فاراد
  • عتبة الضرر:> 500 ميجاوات/سم2 عند 1064 نانومتر، 10 نانو ثانية
  • تفاصيل المنتج

    المعايير الفنية

    يقوم EO Q Switch بتغيير حالة استقطاب الضوء الذي يمر عبره عندما يؤدي الجهد المطبق إلى تغيرات الانكسار المزدوج في البلورة الكهربائية الضوئية مثل KD*P.عند استخدامها مع المستقطبات، يمكن لهذه الخلايا أن تعمل كمفاتيح ضوئية، أو مفاتيح Q ليزر.
    نحن نقدم مفاتيح EO Q-Switchs استنادًا إلى تقنية التصنيع والطلاء البلوري المتقدمة، ويمكننا تقديم مجموعة متنوعة من أطوال موجات الليزر EO Q Switchs التي تعرض انتقالًا عاليًا (T> 97٪)، وعتبة تلف عالية (> 500 وات / سم 2) ونسبة انقراض عالية (>1000:1).
    التطبيقات:
    • أنظمة الليزر OEM
    • الليزر الطبي والتجميلي
    • منصات ليزر للبحث والتطوير متعددة الاستخدامات
    • أنظمة الليزر العسكرية والفضائية

    سمات فوائد
    جودة CCI – بأسعار اقتصادية قيمة استثنائية

    أفضل أنواع خالية من السلالات KD*P

    نسبة تباين عالية
    عتبة الضرر عالية
    انخفاض الجهد 1/2 موجة
    كفاءة في استخدام المساحة مثالية لأشعة الليزر المدمجة
    فتحات السيراميك نظيفة ومقاومة للضرر للغاية
    نسبة تباين عالية توقف استثنائي
    موصلات كهربائية سريعة تركيب فعال/موثوق
    بلورات مسطحة للغاية انتشار شعاع ممتاز
    1/4 موجة الجهد 3.3 كيلو فولت
    خطأ في مقدمة الموجة المرسلة <1/8 موجة
    إي سي آر >2000:1
    جهاز فيديو >1500:1
    السعة 6 بيكو فاراد
    عتبة الضرر > 500 ميجاوات/سم32@ 1064 نانومتر، 10 نانو ثانية